その他MEMS
加工
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マイクロブラスト
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アスペクト比
1：1～1：1.5
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テーパー角
～80°
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最小線幅
40±5μm
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最小穴径
30±5μm
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表面粗さ
Ra 0.1μm
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加工基材
シリコン、ガラス、セラミックス、カーボン等
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ダイシング
ブレードダイシング
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加工種類
フルカット、ハーフカット、ワイヤーカット等
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加工基材
シリコン・ガラス・セラミックス、フェライト、サファイア、各電子材料・特殊材料等
- ※切断後のトレー詰めも対応可能。
ステルスダイシング
ステルスダイシングは、レーザを用いて内部加工を行いウエハを高品質に分割する新しいダイシング方法です。
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加工基材
シリコン
特徴
- ①完全ドライプロセスの為、発塵が無く、デバイス汚染を生じさせる事はありません。
- ②カケやチッピングの発生が無く、抗折強度の強いチップに仕上げる事が出来ます。
- ③レーザー加工とテープエキスパンドの組み合わせによりチップを分離させる工法の為、従来のブレードと異なり切り代はありません。
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ウエハサイズダウン加工
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加工基材
シリコン・ガラス、等
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加工仕様
φ8インチ ⇒ φ6インチ、φ6インチ ⇒ φ4インチ、等
端面面取り（ベベル）加工も対応可能です。
パターン付ウエハでも、パターン面レジスト保護の上、対応致します。
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TSV（Si貫通電極）加工
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加工基材
シリコン・ガラス、等
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加工仕様
φ3～φ8インチ
D-RIEによる貫通穴加工からCuめっきによる埋め込み電極形成、Siと電極膜との平坦化（Cu-CMP）まで一貫した加工が可能です。
また、貫通穴側壁に電極を形成させるコンフォーマルめっきも可能です。
※TGV加工も相談可
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