ヤマナカヒューテック株式会社は高純度電子材料、シリコンウェハー、MEMSファンドリーサービス、蒸着材料（光学薄膜材料）、機能性材料等を多角的に取り扱う研究開発型企業です。
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各蒸着材料（光学薄膜材料）の特性PVD characteristic table
各蒸着材料（光学薄膜材料）の特性
酸化物
| 品名 | 屈折率 (550nm近辺) |
蒸発方法 | 理論密度(g/cm3) | 使用波長域 | 蒸発温度(℃) | 融点(℃) |
| Al2O3 | 1.63 | EB | 4.0 | 0.2～7μm | 2,050 | 2,015 |
| CeO2 | 2.0 | EB | 7.3 | 0.4～16μm | 2,000 | 1,950 |
| Cr2O3 | ― | EB 抵抗加熱 |
5.21 | ― | 2,000 | 1,990 |
| HfO2 | 1.95 | EB | 9.68 | 0.22～12μm | ― | 2,812 |
| La2O3 | 1.9 | EB 抵抗加熱 |
6.51 | 0.3μm～ | 1,500 | 2,000 |
| MgO | 1.74 | EB | 3.65 | 0.2～8μm | 2,800 | 2,800 |
| Nb2O3 | 2.3 | EB | 4.47 | 0.32～8μm | ― | 1,520 |
| NiO | ― | EB | 6.96 | ― | ― | 1,998 |
| SiO2 | 1.46 | EB | 2.20 | 0.2～8μm | 2,000 | 1,600 |
| Ta2O5 | 2.1 | EB | 8.73 | 0.4～10μm | 2,100 | 1,469 |
| TiO2 | 2.3～2.55 | EB | 4.26 | 0.4～3μm | 2,000 | 1,640 |
| Ti3O5 | 2.3～2.55 | EB | 4.26 | 0.4～3μm | 2,000 | 1,640 |
| Y2O3 | 1.87 | EB | 4.84 | 0.3～12μm | 2,400 | 2,410 |
| WO3 | ― | ― | 7.15 | ― | ― | 1,473 |
| ZnO | 2.1 | 抵抗加熱 | 5.47 | 0.4μm～ | 1,100 | 1,800 |
| ZrO2 | 2.05 | EB | 5.56 | 0.34～12μm | 2,700 | 2,677 |
| ZrO2+TiO2 | 2.1 | EB | 4.0 | 0.4～7μm | ― | 2,400 |
フッ化物
| 品名 | 屈折率 (550nm近辺) |
蒸発方法 | 理論密度 (g/cm3) |
使用波長域 | 蒸発温度(℃) | 融点(℃) |
| AlF3 | 1.38 | 抵抗加熱 | 2.88 | 0.2μm～ | ― | 1,294 |
| CaF2 | 1.23～1.45 | 抵抗加熱 | 3.18 | 0.15～12μm | 1,280 | 1,360 |
| CeF3 | 1.63 | 抵抗加熱 | 5.8 | 0.3～5μｍ | 1,360 | 1,324 |
| GdF3 | 1.59 | 抵抗加熱 | ― | 0.3μｍ～ | ― | 1,230 |
| LaF3 | 1.59 | 抵抗加熱 | 5.9 | 0.22～14μm | 1,350 | 1,490 |
| LiF | 1.3 | 抵抗加熱 | 2.64 | 0.11～7μm | 840 | 842 |
| MgF2 | 1.38～1.4 | 抵抗加熱 | 3.2 | 0.11～4μm | 1,270 | 1,260 |
| NaF | 1.29～1.3 | 抵抗加熱 | 2.79 | 0.2μm～ | 998 | 998 |
| NdF3 | 1.61 | 抵抗加熱 | 6.5 | 0.25μm～ | 1,410 | 1,410 |
| YF3 | 1.5 | EB 抵抗加熱 |
5.07 | 0.2～14μm | 1,100 | 1,152 |
硫化物
| 品名 | 屈折率 (550nm近辺) |
蒸発方法 | 理論密度 (g/cm3) |
使用波長域 | 蒸発温度(℃) | 融点(℃) |
| ZnS | 2.3～2.4 | EB 抵抗加熱 |
4.1 | 0.4～14μm | 1,100 | 1,020 |
