成膜関連
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PE-CVD
特長
膜厚10μm実績有り(TEOS)・低温成膜(200℃以下)可能(TEOS)
膜種
TEOS、SiO2、SiN
対応インチサイズ
φ2~φ12インチ ※寸法により角型も対応可
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LP-CVD
特長
LPによるTEOS成膜可能
膜種
TEOS、SiO2、HTO、SiN、Poly-Si、α—Si
対応インチサイズ
φ4~8インチ
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ALD(Atomic Layer Deposition)
特長
アスペクト比の高い構造へコンフォーマルに成膜可能
膜種
Al2O3、HfO2
対応インチサイズ
φ6、φ8インチ
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熱酸化膜
特長
最大膜厚20μm対応可能
膜種
薄膜熱酸化膜、厚膜熱酸化膜
対応インチサイズ
φ2~φ12インチ
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蒸着イオンプレーティング
特長
膜厚5μm以上実績有り(Al、Ag、等)成膜温度100℃以下条件にて樹脂(PC、PET等)やフィルム等への成膜も対応可能
部品形状等、立体物への成膜も対応可能- ※形状、大きさは要相談
膜種・メタル系
Ta、W、Pt、Au、Al、Si、Ti、Cr、Fe、Ni、Cu、Mo、Ag、等
膜種・化合物系
ITO、Al2O3、TiO2、SiO2、MgO、MaF2、等
膜種・合金系
AlSi、AlCu、TiAl、AuSn、TiW、等
対応インチサイズ
φ2~φ12インチ ※寸法により角型も対応可
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スパッタリング
特長
100℃以下(60~80℃)での低温成膜が対応可能
大型基板(寸法680×880mm)への成膜実績有り
曲面等、平面以外の形状にも成膜対応可能膜種・メタル系
Ta、W、Pt、Au、Al、Si、Ti、Cr、Fe、Ni、Cu、Mo、Ag、等
膜種・化合物系
ITO、Al2O3、TiO2、SiO2、SiN、等
膜種・合金系
AlSi、AlCu、TiAl、TiW、NiCr、等
対応インチサイズ
φ2~φ12インチ ※寸法により角型も対応可
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めっき
特長
一般的な電解、無電解めっきから、フォトリソ技術を用いたパターンめっきやバンプめっき等、多種多様のめっき対応が可能
膜種・電解
Cu、Ni、Au、SnAg、等
膜種・無電解
Ni、Pd、Au、Cu、等
対応インチサイズ
φ3~φ8インチ
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圧電膜(PZT)
特長
上下電極を含む圧電薄膜形成が可能
圧電薄膜形成後のパターニングも対応可能
PZT薄膜形成工法も複数種類の対応が可能- ※マグネトロンスパッタの場合詳細はこちら
ゾル・ゲル、イオンプレーティング
膜種・上下電極
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上部
Ti/Pt(Au)、SRO/Ti/Pt
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下部
Ti/Pt、ZrO2/Pt/SRO
膜種・PZT
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圧電定数d31
>-120pm/V、>-300pm/V
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キュリー温度
300~600℃
対応インチサイズ
φ6、φ8インチ
- ※マグネトロンスパッタの場合詳細はこちら