成膜関連[PZT単結晶薄膜形成サービス]

PZT単結晶薄膜形成サービス

*マグネトロンスパッタ成膜の場合

成膜品のご提供、ご支給基板への成膜両方可能になります。
成膜されたPZT薄膜は単結晶となっており、低い誘電率を持ちながら高い圧電性や変位におけるリニアリティー、温度特性を実現しております。

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単結晶PZTの特徴

  1. ①単結晶薄膜である。
  2. ②ポーリング(分極)不要。
  3. ③耐熱性が高く、リフロー温度(450℃)でも脱分極しない。
  4. ④多結晶体と比較して、同様の変位量に対し、誘電率が半分以下。
単結晶PZTの特徴

上記特長を活かした、特性の異なる2種類の標準膜例

センサ仕様

高いc軸配向性を持ち、誘電率を140以下まで下げる事で、歪みによる出力電荷量を向上させた仕様。圧電効果の利用に合わせた設計をしています。

  • 圧電定数d31

    80pm/V

  • 比誘電率

    140

  • キュリー温度

    600℃

アクチュエータ仕様

高いd定数と耐電圧を持ちながら、誘電率を下げてバランスを取った仕様。
逆圧電効果の利用に合わせた設計をしています。

  • 圧電定数d31

    300pm/V

  • 比誘電率

    450

  • キュリー温度

    600℃

用途例

インクジェットヘッド、ジャイロセンサ、加速度センサ、超音波センサ、MEMSミラー、圧力センサ、温湿度センサ、赤外線センサ、RF-MEMS、圧電スピーカ、圧電マイク、マイクロポンプ、オートフォーカス、等

※その他、既にPZT薄膜形成設備をお持ちのユーザ様でも、その設備を有効活用頂ける様、下部電極までの成膜形成のみでも柔軟に対応させて頂きます。

*イオンプレーティング成膜の場合

  • 製法

    ADRIP(アーク放電イオンプレーティング)

  • 圧電定数d31

    200pm/V以上

  • 比誘電率

    1500~2000

  • キュリー温度

    340~360℃

  • 膜厚

    1~5μm

  • 膜均一性

    面内ばらつき5%以下

  • 配向

    (011)単一

  • 耐電圧

    41V/μm

用途例

インクジェットヘッド、MEMSミラー、圧力センサ、温湿度センサ、赤外線センサ、RF-MEMS、圧電スピーカ、圧電マイク、マイクロポンプ、オートフォーカス、等

※厚膜で高耐久性のPZT膜の形成が可能です。