成膜関連[PZT単結晶薄膜形成サービス]
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PZT単結晶薄膜形成サービス
*マグネトロンスパッタ成膜の場合
成膜品のご提供、ご支給基板への成膜両方可能になります。
成膜されたPZT薄膜は単結晶となっており、低い誘電率を持ちながら高い圧電性や変位におけるリニアリティー、温度特性を実現しております。

単結晶PZTの特徴
- ①単結晶薄膜である。
- ②ポーリング(分極)不要。
- ③耐熱性が高く、リフロー温度(450℃)でも脱分極しない。
- ④多結晶体と比較して、同様の変位量に対し、誘電率が半分以下。

上記特長を活かした、特性の異なる2種類の標準膜例
センサ仕様
高いc軸配向性を持ち、誘電率を140以下まで下げる事で、歪みによる出力電荷量を向上させた仕様。圧電効果の利用に合わせた設計をしています。
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圧電定数d31
80pm/V
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比誘電率
140
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キュリー温度
600℃
アクチュエータ仕様
高いd定数と耐電圧を持ちながら、誘電率を下げてバランスを取った仕様。
逆圧電効果の利用に合わせた設計をしています。
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圧電定数d31
300pm/V
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比誘電率
450
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キュリー温度
600℃
用途例
インクジェットヘッド、ジャイロセンサ、加速度センサ、超音波センサ、MEMSミラー、圧力センサ、温湿度センサ、赤外線センサ、RF-MEMS、圧電スピーカ、圧電マイク、マイクロポンプ、オートフォーカス、等
※その他、既にPZT薄膜形成設備をお持ちのユーザ様でも、その設備を有効活用頂ける様、下部電極までの成膜形成のみでも柔軟に対応させて頂きます。
*イオンプレーティング成膜の場合
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製法
ADRIP(アーク放電イオンプレーティング)
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圧電定数d31
200pm/V以上
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比誘電率
1500~2000
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キュリー温度
340~360℃
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膜厚
1~5μm
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膜均一性
面内ばらつき5%以下
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配向
(011)単一
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耐電圧
41V/μm
用途例
インクジェットヘッド、MEMSミラー、圧力センサ、温湿度センサ、赤外線センサ、RF-MEMS、圧電スピーカ、圧電マイク、マイクロポンプ、オートフォーカス、等
※厚膜で高耐久性のPZT膜の形成が可能です。